ATOMİK TABAKA EPİTAKSİSİ(Atomic Layer Epitaxy)
Atomik tabaka epitaksisi (ALE), kimyasal buhar biriktirme(CVD) yönteminin özel bir şekli olarak da düşünülebilir. Epitaksial filmlerin kontrollu gelişimini sağlamak amaçlı biriktirme ve katı alt malzeme yüzeyinde biçimlendirilmiş moleküler yapı oluşturma işlemidir. Tek atomlu tabakaların seri halde büyütülebilmesi ALE’nin karakteristik özelliğidir. Bu yüzden istenen kaplama kalınlığı ancak işlemdeki seri reaksiyonların sayımıyla elde edilebilir. Seri reaksiyonlarla oluşmuş tek katlı yapının yeniden kurulması belirtinin doyurma mekanizmasını ve doyurma yoğunluğunu etkilemektedir. ALE reaksiyonları normalde “etkili aşırı dozlama “ durumlarında tek atomlu yapıyı oluşturmak için tam doyurma meydana gelmesini kesinleştirir. Bundan başka öylesi “etkili aşırı dozlama” durumları kompleks şekilli alt malzemeler üzerinde homojen bir kaplama yapılmasını sağlamaktadır. Ayrıca ALE’deki bu zincir gaz fazı reaksiyonlarını engellemekte ve reaktan madde seçiminde daha fazla olanak sağlamaktadır. (örnek; tuz benzeri, metalorganikleri vs...) ALE işlemi mükemmel homojenliğe sahip yüksek kalitedeki ince filmlerde biriktirmede kullanılabilmektedir.
ALE işlemi atmosfer basıncı veya CVD’deki gibi inert gazların (hareketsiz gaz) kullanımında ya da moleküler dalga epitaksisindeki gibi vakumlu sistemlerde uygulanabilmektedir. Vakum kullanımı bölüm 10’da tanımlandığı gibi in-suti yüzey analiz metodlarında çeşitlilik sağlamaktadır. [271-273]. Ale işlemindeki ayrıntılı incelemede reaktan ve reaktör kullanımından söz edilmiştir.[274]. ALE işlemi sırasındaki film gelişme hızındaki teorisel evrim Park et al tarafından araştırılmıştır. Çok küçük kaplama değişimindeki genel düşünceyi kullanıyordu.[275]. Absorblama miktarının her elementin yüzeyde kapladığı yerle bağlantılı olduğu bulundu. Model şunu doğrulayabilir; “yüzey kaplamasının periyodik biriktirme süresince olan periyodik sınır durumu, başlangıç alt maddesinin film biriktirmesinden hala etkilendiği geçiş periy****dan sonra doymaktadır.” |