ALE’yi diğerlerinden ayıran özelliği kristalin bileşik tabakası, kompleks tabakalı yapıların,[276] süper kafeslerin[277,278], ve kusursuz yüzeye sahip alaşımların kusursuz büyümesini sağlayan cazip bir method olmasıdır. ALE önceleri polikristalini, ZnS’in ince amorf yapısını, elektro-parlak görüntü aletleri için dielektrik oksitlerin büyümesini sağlamak için geliştirilmişti. Bu günlerde ALE metodları kullanılarak çok geniş alanda ince filmler sentez edilebilmektedir. Bunlar yarı-iletken III-V [280-283], II-VI [284-286], oksitler [295,287-289], nitratlar [290-291], kovalent malzemeler[292], fosfatlar [293] ve metalik filmler [294].
ALE işlemi iyi uyumlu kaplamalı film üretebilir ve nanometrenin altındaki değerlerde film tabakasını doğru bir şekilde kontrol edebilir. Diğer yöntemlerde olmayan bu avantajı, bu yöntemi nano -teknoloji için çok değerli bir hale getiriyor. ALE’nin yetenekleri ve nano teknolojide ALE kullanımına karşı görüşler tartışılmıştır[295]
Mukai et al[296], büyüme kontrolunde ALE kullanımı ve bu nedenle kendi yapısındaki In0,5Ga0,5As/GaAs kuantum noktalarında kuantum sınır potansiyeli üzerinde araştırma yaptı. Noktalar (InAs)/GaAs) belirtilerinin değişimli beslenmesi ile büyüme sağlanır. Besleme periyotlarının sayısı 9 dan 30 a çıkarıldığı zaman, nokta boyutu 20’den 32 nm çapa yükselir ve foto-parlatma (PL) daha düşük bir enerjiye gönderilir.
Englemannn et al[297] ALE yöntemini CdSe/SrS multi-kuantum kaynak sistemlerinin imalatında kullanmıştır. Bunlar yerel bir sınıf olup suni fosforun kuantum kaynakları tarafından harekete geçirilip elektro-parlak görüntüyü sağlarlar. Kuantum kaynakları(QWs) yüksek yarıklı malzeme içerisine iyice yerleştirilir ve ışınlanmış merkezler gibi davranırlar. Çeşitli QW derinliklerinde çalışılmıştır. [3-15 nm) Qw derinliklerinde azallma emisyonu kısa dalga boylarına doğru kaydırır ve emisyon spektrumu birçok uç gösterir. Birkaç QW seviyesinden geçtikten sonra sonuçlanır.
Nano seviyesindeki ince tabakalar 3-20 nm kalınlığında Ta2O5-ZrO2, Ta2O5-Al2O3 gibi 2 veya 3 farklı oksit malzemeler içerirler. Bunlar da ALE metoduyla üretilir. Bu nano seviyesindeki ince tabakalardaki sızıntı akımı konveksiyonel dielektrik filmlerine oranla önemli derecede azaltılmıştır. |