b) - P Kanal JFet Transistör :
P kanal fetlerin çalisma sistemide N kanal fetlerle aynidir. Tek farki polarizasyon yönünün ve P N maddelerinin yerlerinin ters olmasidir. Yani gate ucuna pozitif yönde polarizasyon verdigimizde D ve S uclari arasindaki direnç artar, akim düser. Gate ucu 0V iken ise akim doyumdadir.
16 - Mosfet :
Mofetlerde fetler gibi N kanal ve P kanal olarak ikiye ayrilirlar. Mosfetler Asagidaki sekilde görüldügü gibi büyük bir gövde olan P maddesi (SS) oluk ve kaynak kutuplarina bagli iki adet N maddesi. Ve yine kanal bölgesini olusturan bir N maddesi daha. Birde kanal ile arasinda silisyumdioksit (SiO2) maddesi bulunan kapi konnektörü bulunmaktadir. Bu madde n kanal ile kapi arasinda iletimin olmamasini saglar. P maddesinden olusan gövde bazi mofetlerde içten S kutbuna baglanmis, bazi mosfetlerde de ayri bir uc olarak disari çikarilmistir. Mosfetler akim kontrolü fetlerden biraz farklidir. Mosfetler bazi özelliklerine göre ikiye ayrilirlar, bunlar ;"Deplesyon (Depletion)" ve "Enhensment" tipi mosfetlerdir. Bu iki tip mosfeti simdi ayri ayri inceleyelim.
a) - Deplesyon :
Yandaki garafikten de anlasilacagi gibi mosfetin gate kutbuna 0V verildiginde (yani S kutbu ile birlestirildiginde) S ve D kutuplari arasindan fetlerdeki gibi bir akim akmaya baslar. Gate kutbuna negatif yönde yani -1V uygulandiginda ise gate kutbundaki elektronlar kanaldaki elektronlari iter ve p tipi maddeden olusan gövdedeki oyuklarida çeker. Bu itme ve çekme olaylarindan dolayi kanal ile gövdedeki elektron ve oyuklar birleserek nötr bölge olustururlar. Gate 'e uygulanan negatif gerilim artirildiginda ise nötr bölge dahada genisler ve akimin geçmesine engel olur. Gate kutbuna pozitif yönde gerilim uygulandiginda gate kutbundaki oyuklar, gövdedeki oyuklari iter, kanaldaki elektronlari ise çeker fakat aradki silisyumdioksit madde nedeniyle gate kutbundaki oyuklarla elektrinlar birlesemez. Bu sayede kanal genisler ve geçen akim daha da artar. Iste bu gate kutbunan uygulanan pozitif gerilimle akimin artirilmasina "Enhensment", negatif gerilim uygulayarak akim düsürülmesinede "Deplesyon" (Depletion) diyoruz. Bu bölümde Deplesyon tipi mosfetlerin N kanal olan türünü açikladik. P kanal olan tipi N kanalin, polarma ve yariiletkenlerin yerleri bakimindan tam tersidir.
b) - Enhensment :
Enhensment tipi mosfetleri, Deplesyon tipi mosfetlerden ayiran en önemli özellik yantarafta da görüldügü gibi N tipi kanalin bulunmamasidir. Bu kanalin bulunmamasi nedeni ile gate kutbuna 0V uygulandiginda S ile D uçlari arasindan hiç bir akim geçmez.